<<女人18毛片a级毛片免费看>> 前述光刻技术权威专家说，以阿斯麦最先进的极紫外光刻机为例，如果芯片生产的线宽要求是10纳米，机器产生的偏差要不超过10%，即1纳米，线宽要保证非常均匀。再者，芯片通常是一层层平面工艺堆叠而成，层与层间套刻、对准的偏差不能超过两个纳米。
前述光刻技术专家说，1990年代前，国内一直在持续研究，并追赶国外的光刻技术。虽然和国外的产品有差距，但差距不大。到1990年代，随着国门大开，国外更成熟产品的引进，再加上当时国内经济条件有限，很多关于光刻机的科研项目都逐渐停止。不光是光刻机，国内集成电路的发展和国外拉开差距，大体都始于上世纪90年代。
1974年9月，国家计委在北京召开全国大规模集成电路及其基础材料大会战会议，要求在1974至1976年会战期间，突破大规模集成电路工艺技术、设备制造和基础材料的技术关键。
2013年，阿斯麦收购了位于美国圣地亚哥的光源制造商cymer公司，以加速极紫外光刻发展。2016年，又以10亿欧元获取德国镜头制造商蔡司旗下子公司24.9%的股份。更早2012年，为了研发极紫外光刻机，英特尔、台积电、三星一起入股阿斯麦，注资超过64亿美元，用于获得最尖端产品使用的“入场券”。这三家也占据了2021年阿斯麦极紫外光刻机业务量的84%。这也是美国得以限制阿斯麦向中国出口先进光刻机的重要原因。目前，阿斯麦还在研发适用于两纳米节点工艺的新一代极紫外光刻机，预计2025年底送抵客户工厂用于生产。
本报记者 陈怡婷 【编辑:陈怡婷 】